一种半导体材料及器件的制备方法

本发明公开了一种半导体材料及器件的制备方法，包括准备两块衬底，分别为衬底W1和衬底W2，剥离衬底W2的上面一部分与衬底W1上生长的多晶Si C面110进行键合，形成在W1上有多晶SiC层和在其上的高质量单晶S iC层，再外延高质量的S iC层形成复合外延材料。在复合外延材料上进行芯片工艺加工完成芯片制造，可以有效减少在SiC材料、器件制备过程中SiC材料的损耗和浪费，提高生产效率，有利于大幅降低器件的成本。