一种简易的功率模块延寿封装结构及封装方法

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一种简易的功率模块延寿封装结构及封装方法
申请号:CN202411524110
申请日期:2024-10-30
公开号:CN119480846A
公开日期:2025-02-18
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种简易的功率模块延寿封装结构及封装方法,属于功率模块封装技术领域,包括DBC基板,DBC基板包括第一铜层、第二铜层和陶瓷层,第一铜层和第二铜层设置于陶瓷层上,将芯片底部与第一铜层通过纳米银焊膏低温烧结连接,形成第一烧结银焊层;将芯片上方通过纳米银焊膏低温烧结成第二烧结银焊层;将键合线两端通过超声波压力键合于第二烧结银焊层和第二铜层上。本发明在芯片上方通过纳米银焊膏低温烧结成的第二烧结银焊层作为应力缓冲层,能够显著降低键合点处的热机械应力,延长功率模块的使用寿命,同时大大简化了以往应力缓冲层的引入导致的额外步骤和考虑因素,可以提高生产效率、降低成本、提升性能、增强可靠性。
技术关键词
纳米银焊膏 DBC基板 封装结构 封装方法 功率模块封装技术 芯片 键合线 应力缓冲层 陶瓷 超声波 压力 机械
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