一种用于氮化硅刻蚀芯片的刻蚀系统

本申请涉及一种用于氮化硅刻蚀芯片的刻蚀系统，包括刻蚀仓、电极和夹持式晶圆固定器，刻蚀仓的第一端上设有进气口，刻蚀仓的第而端上设有排气口，电极位于刻蚀仓内部，电极具有多个侧面，侧面均为斜面，夹持式晶圆固定器设在侧面上，夹持式晶圆固定器上间隔设置多个转动位，还包括设在夹持式晶圆固定器上的气流式吹扫单元、设在夹持式晶圆固定器上并与转动位连接的气动单元和与刻蚀仓连接的真空单元。本申请公开的用于氮化硅刻蚀芯片的刻蚀系统，使用环绕式部署方式来提高晶圆放置密度和缩小电极尺寸，能够有效提高电场分布的均匀度，同时使用转动方式来使刻蚀产物能够以更快的速度脱离沟槽，提高沟槽的尺寸精度和加工精度。