一种实现多叠层闪存封装的方法

本发明涉及芯片封装技术领域，具体地说是一种实现多叠层闪存封装的方法。包括如下步骤：S1，在基板或PCB板上堆叠若干芯片，相邻芯片之间通过焊线键合；S2，在最上层芯片的上侧贴覆水溶性胶片，水溶性胶片包裹住最上层芯片一侧表面、最上层芯片的焊线；S3，塑封，塑封料包裹住芯片、焊线、水溶性胶片；S4，塑封完成后对形成的封装体表面进行研磨，露出水溶性胶片的表面；S5，通过水清洗，溶解掉水溶性胶片，在封装体表面形成空腔；S6，在空腔内露出的芯片表面继续堆叠若干芯片；S7，重复步骤S2至步骤S5，直至完成所有芯片的堆叠，对空腔进行塑封。同现有技术相比，实现3D闪存芯片16层以上层数堆叠，实现单颗封装体集成更多存储芯片。