一种双面凸块封装芯片的封装方法及其对应结构

本发明公开了一种双面凸块封装芯片的封装方法，其解决了双面凸块芯片易氧化和漏电的缺陷，确保了双面凸块封装芯片的品质和工作稳定性。其特征在于：在晶圆正面作业完成后，晶圆正面与玻璃键合后反置，之后研磨晶圆背面的Si面并进行应力释放，然后在Si层的表面作业一层SiO2层，之后在SiO2层表面溅射Ti/Cu层，之后在Ti/Cu层的表面再电镀Cu，形成电镀Cu层，然后通过光刻，在晶圆背面形成对应图形的RDL，再通过光刻，Ti/Cu层刻蚀和去胶作业，完成背面Cu的制作，在背面Cu作业完成后，对晶圆背面进行等离子处理，然后再通过化镀方式，完成对RDL表面的保护，再次倒置后，照UV光进行解键合、将玻璃和晶圆分开，通过机械切割形成完整的单颗芯片。