一种光刻硅片表面压力测量方法

本发明提供一种光刻硅片表面压力测量方法，包括：S1、制备测压硅片：所述测压硅片内嵌入有多个测压芯片；所述测压芯片通过微小通道与外部数据采集系统相连接，以实时采集并传输压力数据；S2、预处理：S3、安装测压硅片；S5、数据采集：通过数据采集系统接收并记录测压芯片输出的信号，然后根据测压芯片的校准曲线将其转换为实际的压力值；S6、数据分析：对采集到的压力数据进行分析，以评估光刻过程中硅片表面压力的分布情况、变化趋势以及可能对硅片质量产生的影响。本发明提供的方法既能实时监测、快速响应，又不易受光刻过程干扰的硅片表面压力测量方法。