用于碲镉汞霍尔测试的器件制样方法及霍尔器件测试方法

本申请公开了一种用于碲镉汞霍尔测试的器件制样方法及霍尔器件测试方法，制样方法包括：在预处理后的碲镉汞芯片表面涂覆光刻胶，预处理后的碲镉汞芯片包括钝化层和P型的碲镉汞层；在光刻胶固化后，对碲镉汞芯片进行第一次光刻得到目标光刻图形；将目标光刻图形中没有光刻胶保护的钝化层和P型的碲镉汞层腐蚀掉，得到霍尔棒的台面结构；去除碲镉汞芯片表面的光刻胶；重新在碲镉汞芯片表面涂覆光刻胶，并对碲镉汞芯片进行第二次光刻；将镉汞芯片表面没有光刻胶保护的钝化层腐蚀掉；在碲镉汞芯片表面生长金属电极；对碲镉汞芯片表面进行划片，得到多个霍尔器件。该方法制备的结构器件可以同时进行霍尔电阻和纵向电阻测试，测试效率高，测试精度高。