一种提高光芯片电极镀金金层质量的工艺方法

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一种提高光芯片电极镀金金层质量的工艺方法
申请号:CN202510806593
申请日期:2025-06-17
公开号:CN120649015A
公开日期:2025-09-16
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种提高光芯片电极镀金金层质量的工艺方法,属于光电芯片芯片制造加工技术领域。该方法先进行蒸发镀金光刻打开电极窗口,通过电子束蒸镀形成Ti‑Pt‑Au金属电极后用NMP溶液剥离,再化学镀金光刻二次打开窗口。接着通过全自动设备预清洗去除残留光刻胶和杂质,经表面等离子体辉光活化、表面处理液浸泡,在适宜温度化学镀金液中沉积,之后用温水清洗,最后用NMP溶液剥离并以蓝膜粘附去除残金颗粒。此工艺解决了传统工艺中表面污染导致的析金及图形不完整问题,避免剥离时芯片划伤,提升了金层沉积均匀性与结合力,提高了工艺稳定性和金层质量。
技术关键词
光芯片 残留光刻胶 匀胶显影设备 去离子水 金属电极 全自动设备 显影液 光电芯片 蒸镀设备 光刻图形 显影工艺 电子束 溶液 光刻技术 结合力 氮气
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