摘要
本发明公开了一种提高光芯片电极镀金金层质量的工艺方法,属于光电芯片芯片制造加工技术领域。该方法先进行蒸发镀金光刻打开电极窗口,通过电子束蒸镀形成Ti‑Pt‑Au金属电极后用NMP溶液剥离,再化学镀金光刻二次打开窗口。接着通过全自动设备预清洗去除残留光刻胶和杂质,经表面等离子体辉光活化、表面处理液浸泡,在适宜温度化学镀金液中沉积,之后用温水清洗,最后用NMP溶液剥离并以蓝膜粘附去除残金颗粒。此工艺解决了传统工艺中表面污染导致的析金及图形不完整问题,避免剥离时芯片划伤,提升了金层沉积均匀性与结合力,提高了工艺稳定性和金层质量。
技术关键词
光芯片
残留光刻胶
匀胶显影设备
去离子水
金属电极
全自动设备
显影液
光电芯片
蒸镀设备
光刻图形
显影工艺
电子束
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