一种基于TCAD-SPICE-Geant4联合仿真的单粒子翻转截面模拟方法

本发明公开一种基于TCAD‑SPICE‑Geant4联合仿真的单粒子翻转截面模拟方法，属于集成电路辐射效应及加固技术领域；首先通过TCAD‑SPICE联合仿真提取诱发集成电路单粒子翻转的临界电荷值；随后针对电路敏感节点处的单管器件，使用TCAD仿真单粒子入射器件不同位置时的瞬态电流脉冲曲线，提取不同位置的电荷收集权重；接着使用Geant4仿真粒子辐照器件不同位置生成的电荷量；最后计算得到电路的单粒子翻转截面。本发明模拟方法具有高可靠性，可准确预测集成电路对单粒子辐射的敏感程度，为后续的电路级抗辐射加固设计提供理论指导。