一种红光LED芯片及其制作方法

本发明涉及芯片技术领域，具体是涉及一种红光LED芯片及其制作方法。该红光LED芯片自下而上包括背面电极、Si衬底、Au键合层、In键合层、过渡阻挡层、镜面层、介质膜层、欧姆接触层、Au填充阻挡层、GaP窗口层、P型过渡层、P型限制层、P型波导层、发光层、N型半导体层、粗化球形孤岛、钝化层、正面电极；Au填充阻挡层位于所述芯片切割道投影区域并被介质膜层包覆；欧姆接触层凸向所述镜面层的表面为弧形表面；粗化球形孤岛的表面均匀分布有金字塔绒面。本发明从制作方法上进行优化，得到的红光LED芯片发光效率高，可靠性好，器件整体性能稳定。