一种下埋式电极的异质集成电光调制器件及其制备方法

本发明涉及半导体技术领域，公开了一种下埋式电极的异质集成电光调制器件及其制备方法，包括：在波导芯两侧的电极金属沉积槽内填充形成初始电极层，并进行化学机械抛光工艺，初始电极层的抛光去除速率大于第二包层，在初始电极层中形成第二凹陷，得到电极层；电极层上表面最高位置高于波导芯上表面，且与波导芯上表面高度差值小于波导芯上方的第二包层厚度；在第二包层表面和第二凹陷内形成层间耦合层并键合电光材料膜层。本发明可以简化工艺流程，扩大下埋式金属电极CMP与层间耦合层CMP的工艺窗口，降低金属电极CMP时波导芯被金属粒子沾污损伤及层间耦合层CMP时金属电极暴露等风险，进而提高电光调制器件的可靠性和调制性能。