一种紫外LED芯片及其制备方法

本申请公开了一种紫外LED芯片及其制备方法，涉及发光二极管技术领域，该紫外LED芯片包括衬底和位于衬底上沿背离衬底的方向设置的第一型载流子供应层、多量子阱层和第二型载流子供应层，第二型载流子供应层包括沿背离衬底的方向设置的第二型半导体层、本征半导体层和第一型半导体层，第二型半导体层和本征半导体层的交界面以及本征半导体层和第一型半导体层的交界面为异质结，第二型半导体层、本征半导体层和第一型半导体层组成极化隧道结结构，本征半导体层包括量子点材料，如此，提高空穴向多量子阱层的注入效率，提高紫外LED芯片的发光效率，减少极化隧道结对光的吸收，提高电流密度横向分布均匀性，并降低器件的正向电压。