传感器集成结构、芯片和制作方法

本发明公开了一种传感器集成结构、芯片和制作方法，制作方法包括：提供衬底和电连接结构晶圆；在衬底刻蚀两个空腔；在衬底刻蚀空腔一侧制作绝缘层；在绝缘层一侧键合硅晶圆层；对硅晶圆层光刻出第一空腔和第二空腔；在硅晶圆层制作电连接层；对惯性敏感区域进行刻蚀形成惯性敏感结构，未被刻蚀的压力敏感区域形成压力敏感结构；对硅晶圆层的非惯性敏感结构区域或非压力敏感结构区域进行部分刻蚀，露出绝缘层；将电连接结构晶圆与电连接层进行粘接；对衬底和绝缘层进行刻蚀，露出压力敏感结构；将露出绝缘层部位的绝缘层和衬底刻蚀掉，得到传感器集成结构。本发明提供的技术方案能够解决现有技术中封装集成的传感器体积较大且成本较高的问题。