封装结构及其形成方法

本发明提供一种封装结构及其形成方法，在该形成方法中，先形成桥接芯片组件，其中，通过先沉积保护层再减薄硅通孔的方式使桥接芯片的硅通孔露出，则在减薄过程中保护层能够保护基体，可避免减薄硅通孔所产生的金属离子迁移扩散至基体中，进而避免封装结构因金属离子的迁移扩散而产生的可靠性失效问题；同时，在塑封桥接芯片组件时，桥接芯片组件底面具有粘附层，在塑封后去除粘附层，使桥接芯片组件的底面高于第一塑封层底面，则在第一塑封层底面以及桥接芯片组件底面形成底部重布线层后，位于桥接芯片组件底面的底部重布线层的厚度大于位于第一塑封层底面的底部重布线层的厚度，即桥接芯片组件底部具有更厚的介质层，使得桥接芯片组件各个连接点连接强度得到保证，且为桥接芯片提供更高的应力缓冲，提高了封装结构的可靠性。