一种基于DDR裸片的RDL扇出结构

本发明公开了一种基于DDR裸片的RDL扇出结构，其包括：形成在DDR裸片上的EMC层130、形成在EMC层130上的焊盘110、形成在DDR裸片上方且与焊盘110电连接的电介质层DL2140、形成在电介质层DL2140上方且与焊盘110电连接的RDL层150、形成在RDL层150上方的电介质层DL1160、形成在电介质层DL1160上方且与RDL层150电连接的UBM层170，以及形成在UBM层170上方的BGA焊球180。本发明通过重布线技术实现三维集成互联的解决方案，并创新性将位于DDR裸片中间的焊盘阵列为在芯片上平均排布的FC凸点，从而优化了电源分布和信号完整性。