一种集成电路金属块制作工艺

本发明公开了一种集成电路金属块制作工艺，属于集成电路技术领域，包括以下步骤：准备晶圆；于晶圆上涂布PBO光敏性介电层材料；将无效区的PBO光敏性介电层材料去除；对PBO光敏性介电层材料曝光、显影、固化；在PBO光敏性介电层材料上溅射Ti/Cu金属层；在Ti/Cu金属层上涂布PR胶，对PR曝光、显影；去除PR胶的残留物；进行Cu/Ni/SnAg电镀；进行PR胶脱离；蚀刻Cu/Ti金属层；根据产品需要判断是否进行植球。本发明通过引入去除无效区PBO光敏性介电层材料的步骤，解决了PBO层翘起的难题，改善了因UBM剥离造成的芯片良率损失问题，有效杜绝了金属碎片掉落至晶圆有效芯片区域致使芯片失效的隐患，从而全方位提升了产品Bumping封装品质，本发明通用性极高，适用于所有后道Bumping封装领域。