一种GPP芯片制作工艺

本发明公开一种GPP芯片制作工艺，涉及半导体器件技术领域,包括以下步骤：S1：对硅片进行附磷、磷扩散、磷分片、磷扩后喷砂处理；S2：对硅片未附磷面的进行涂硼、硼扩散、硼分片操作；S3：将处理后的硅片清洗，然后送入扩散炉中进行氧化；S4：在氧化后的硅片一面均匀涂上光刻胶，进行曝光，使其表面形成双沟道图形；S5：将硅片进行腐蚀、电泳、玻璃烧结、镀镍和水切割裂片，最后得到成品。本发明解决了现有半导体芯片的玻璃在裂片时会有损伤的技术问题。