LED外延片、LED芯片及LED外延片的制备方法

本发明提供了一种LED外延片、LED芯片及LED外延片的制备方法，属于发光二极管技术领域，LED外延片包括衬底、外延层，外延层包括依次堆叠设置的n型电子层、n型电子阻挡层、有源层、p型空穴阻挡层、p型空穴层和p型窗口层，p型窗口层包括两个隧道结结构和夹设于两个隧道结结构之间的沿堆叠方向呈周期性分布的超晶格单元，隧道结结构包括依次堆叠设置的p型掺杂InP子层、未掺杂InP子层、n型掺杂InP子层，超晶格单元包括依次堆叠设置的AlxP子层和Ga1‑xP子层。本发明通过在p型窗口层中引入隧道结结构和超晶格单元所形成的超晶格结构，可以提高载流子的注入效率，降低电阻，提高电流扩展能力。