一种半导体器件、制备方法以及芯片

本申请提供了一种半导体器件、制备方法以及芯片，涉及半导体技术领域。半导体器件，包括：衬底结构；栅氧介电叠层；栅氧介电叠层形成在衬底结构的第一侧，包括至少两层栅氧介电层，其中，至少一层栅氧介电层为采用高K材料的栅氧介电层，以增大所述栅氧介电叠层的介电常数；栅极；栅极设置于栅氧介电叠层背离衬底结构的一侧。本申请可以提供一种通过提高栅氧介电层的介电常数，从而提高器件性能技术方案。