一种集成MEMS芯片及其制造方法

本发明的实施例公开了集成MEMS芯片及其制造方法，其中制造方法包括：提供第一衬底和第二衬底，在第二衬底的表面制作辅助开孔结构，并在辅助开孔结构上开设贯通的第一通气孔；在第一衬底开设有活动凹槽的表面上制作传感器结构；连接第一衬底和第二衬底，每个传感器结构背离第一衬底的一侧表面均与第二衬底设置辅助开孔结构的表面之间均具有活动间隔，活动间隔和活动凹槽共同构成了相对应的传感器结构的形变空间；在第二衬底上开设贯通的与第一通气孔一一对应且连通的第二通气孔。本申请能通过相连通的第二通气孔和第一通气孔调节相对应的形变空间的气压，并在气压调节后封堵第一通气孔和第二通气孔，使得形变空间中的气压维持在预设气压。