一种植球凸点形成方法、系统、智能终端及存储介质

本申请涉及一种植球凸点形成方法、系统、智能终端及存储介质，涉及芯片封装技术领域，其方法包括：在集成电路晶圆上覆盖第一介电层，第一介电层上设置有第一开口，第一开口露出集成电路晶圆的芯片电极；在第一开口处形成再布线层；在再布线层上覆盖第二介电层，第二介电层上设置有第二开口，第二开口露出部分再布线层；将具有植球凸点图形的过渡层转移至第二开口上，植球凸点图形为异形；通过植球工艺，在过渡层上形成植球凸点，植球凸点的高度小于预设高度。本申请具有形成异形的植球凸点，从而缩小晶圆的封装尺寸的效果。