一种晶圆级集成结构及其制作方法

本发明公开了一种晶圆级集成结构及其制作方法，晶圆级集成结构包括：硅转接板、芯片单元层、导电凸起层及器件模组层。所述硅转接板包括相对设置的第一表面和第二表面；芯片单元层位于所述硅转接板的第一表面侧且与所述硅转接板的第一表面电连接；所述芯片单元层包括多个半导体芯片；导电凸起层位于所述硅转接板的第二表面侧且与所述硅转接板的第二表面电连接；器件模组层位于所述导电凸起层远离所述硅转接板的一侧，且与所述导电凸起层电连接。本发明提供了一种晶圆级集成结构及其制作方法，可以提高晶圆级集成结构的带宽，减少通信路径。