一种铌酸锂薄膜型FP腔及其制备方法﹑应用

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一种铌酸锂薄膜型FP腔及其制备方法﹑应用
申请号:CN202411724651
申请日期:2024-11-28
公开号:CN119620443A
公开日期:2025-03-14
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种铌酸锂薄膜型FP腔及其制备方法﹑应用,包括至下而上依次层叠设置的基底层、下包层及波导层,其中,所述波导层包括铌酸锂薄膜平板层以及在薄膜平板层表面凸出设置的波导结构,所述波导结构包括沿X方向设置的第一波导布拉格光栅和第二波导布拉格光栅以及第一波导布拉格光栅结构和第二波导布拉格光栅之间形成的中间波导区,所述第一波导布拉格光栅一侧为光能量输入端口,所述第二波导布拉格光栅一侧为光能量输出端口,在中间波导区沿Z方向的两侧对称设置电极。本发明将铌酸锂薄膜材料引入FP腔,并制作波导布拉格光栅结构进行反射和透射,这对于在同一芯片上集成更为丰富的功能非常有利。
技术关键词
波导布拉格光栅 铌酸锂薄膜 波导结构 二氧化硅薄膜材料 刻蚀工艺 磁控溅射工艺 氮化硅薄膜 基底层 光子芯片 光刻 端口 周期 光栅结构 平板
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