一种高效率深紫外LED芯片

本发明属于深紫外LED芯片技术领域，具体涉及一种高效率深紫外LED芯片，芯片包括外延片结构、刻蚀区、N接触电极、P接触电极、加厚电极、钝化层、P厚金层和N厚金层，n个刻蚀区分别刻蚀在外延片结构上，N接触电极生长在刻蚀区内，P接触电极生长在外延片结构上，N接触电极和P接触电极上生长有第一加厚电极和第二加厚电极，P厚金层和N厚金层均生长在钝化层上，P厚金层通过第二加厚电极与P接触电极连接，所述N厚金层通过第一加厚电极与N接触电极连接。本发明通过在N型AlGaN复合结构层上分别刻蚀出n个刻蚀区，并在各刻蚀区制备N接触电极，实现了电流在芯片中的均匀注入，进一步提升了电流注入效率。