COF型半导体封装器件及其制造方法

本申请提出了一种COF型半导体封装器件及其制造方法。该COF型半导体封装器件包括：绝缘衬底，包括相对设置的第一表面和第二表面；第一布线层，设置于绝缘衬底的第一表面上；半导体芯片，设置于绝缘衬底上，且半导体芯片通过凸起电极与第一布线层中按预设图案形成的布线电连接；第一阻焊剂层，覆盖第一布线层的除半导体芯片以外的部分；第二布线层，设置于绝缘衬底的第二表面上，且半导体芯片的正投影落入第二布线层的正投影内，半导体芯片经由第二布线层与外界建立热传输通道。基于此，本申请直接在绝缘衬底上形成作为散热构件的第二布线层，使得半导体芯片与第二布线层之间的导热率较高，可以提高整个器件的散热效率。