一种温度传感器芯片的封装工艺

一种温度传感器芯片的封装工艺，包括如下步骤：选择氮化铝陶瓷基片，并根据芯片的尺寸大小来选定对应尺寸的金锡焊料片；氮化铝陶瓷基片清洗；制作氮化铝陶瓷基片的双面金属化层；把沉积完金属化层的氮化铝陶瓷基片按芯片的大小进行划切，然后将金属管壳摆放到烧结模具上，再在金属管壳上放置金锡焊料片，在金锡焊料片上放置切好的所述氮化铝陶瓷基片，在氮化铝陶瓷基片上再次放置金锡焊料片，最后放置芯片；并将其一起放到共晶焊炉内进行烧结；选用可编程真空共晶焊炉进行共晶烧结，焊接完成后等温度降到70℃以下，打开腔室门，取出器件。有益效果是：不仅感温性能高、绝缘效果好，而且工艺合理，操作简单，生产效率高，适合工业化生产。