一种主结调制快恢复二极管芯片及其制备方法

本申请提供一种主结调制快恢复二极管芯片及其制备方法，涉及半导体技术领域。该主结调制快恢复二极管芯片的制备方法包括：提供外延片，并采用光刻工艺在外延片的第一表面形成主结窗口和截止环窗口；分别向主结窗口和截止环窗口内注入第一非金属并进行扩散推结；采用光刻工艺在外延片的第一表面形成场限环窗口；分别向主结窗口和场限环窗口内注入第二非金属并进行扩散推结，以实现主结浅环结深的结深分布。该主结调制快恢复二极管芯片的制备方法能在节省一次光刻的前提下产生主结浅环结深的一种结深分布，能够提高主结调制快恢复二极管芯片的耐受电压、通流能力、浪涌水平和制备效率，降低主结调制快恢复二极管芯片的制造成本。