半导体器件和制造半导体器件的方法

本公开涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。一种半导体器件具有：第一导电类型的第一半导体层；与第一导电类型不同的第二导电类型的第二半导体层，位于第一半导体层中；第二导电类型的第三半导体层，位于第二半导体层中，并且具有比第二半导体层高的杂质浓度；第一导电类型的第四半导体层，位于第三半导体层上；第一导电类型的第五半导体层，位于第四半导体层上并且具有比第四半导体层高的杂质浓度；第二导电类型的第六半导体层，位于第二半导体层中并且具有比第三半导体层高的杂质浓度；以及第二导电类型的第七半导体层，在深度方向上具有与第三半导体层相同的杂质浓度分布。