砷化镓系统级扇出封装方法及其结构

本申请提供了一种砷化镓系统级扇出封装方法及其结构，涉及半导体封装技术领域。该封装方法包括提供具有第一包封体的晶圆片。其中，晶圆片包括多个芯片；芯片采用砷化镓衬底，芯片的正面具有焊盘；第一包封体包覆芯片的背面和侧面。在晶圆片的正面形成具有第一开口的第一光刻胶；第一开口用于露出焊盘。在第一光刻胶上形成与焊盘电连的重布线层。在重布线层上形成与重布线层相连的导电块。形成包覆导电块和重布线层的第二包封体。其中，第二包封体位于第一光刻胶远离第一包封体的一侧。形成与导电块电连的焊球。采用第一包封体和第二包封体对重构晶圆进行六面包封，提高结构可靠性，解决可靠性测试中衬底和重布线层的分层问题。