封装偏移堆叠DRAM结构的方法

本发明涉及封装结构技术领域，更涉及封装偏移堆叠DRAM结构的方法。步骤：DRAM芯片为芯片，将第一个芯片的背面粘贴在临时基座上；在第一个芯片的正面偏移粘贴另一个芯片的背面；其余芯片也按此粘贴，塑封，通过钻孔在塑封后的堆叠芯片中成型多个通孔，每个通孔都分别连通一个芯片；在每个通孔内补入导电材料，形成TMV结构，在TMV后的堆叠芯片的正面形成重布线层，在重布线层上形成凸块，去除临时基座，得到所需结构；其中，偏移堆叠时，不从第一个芯片计算，从其后的第二个芯片开始计算，每2个芯片偏移方向相同，每2个芯片堆叠后改变偏移方向。本发明实现多个DRAM芯片堆叠，优化了封装结构，降低了封装难度。