一种改善RFID电子标签芯片热载流子的方法

本发明公开了一种改善RFID电子标签芯片热载流子的方法，涉及RFID标签芯片领域，该方法包括基于刻蚀工艺和湿法氧化方式，在衬底表面形成场氧；在场氧与衬底之间形成保护环；将杂质离子注入保护环内，形成保护环结构；在阱表面形成RFID电子标签芯片的场效应晶体管初步结构；在衬底表面淀积绝缘层，并使场效应晶体管初步结构和保护环结构从绝缘层中露出；填充效应晶体管初步结构和保护环结构中的接触孔，并在接触孔外形成金属层，得到RFID电子标签芯片的场效应晶体管结构；对场效应晶体管结构进行退火处理。本发明有效阻挡热载流子大量注入栅氧化层以及衬底，降低热载流子对芯片的持续损坏，提高芯片的使用寿命。