一种用于超大电流的LED外延片及其制备方法

本发明涉及半导体的技术领域，公开了一种用于超大电流的LED外延片及其制备方法，所述LED外延片包括衬底，衬底上依次设置有AlN层、缓冲层、第一GaN层、第二GaN层、N型GaN层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；应力释放层为周期性结构，每个周期性结构包括依次层叠的第三GaN层、InxGa1‑xN层和AlyGa1‑yN层，第三GaN层、InxGa1‑xN层和AlyGa1‑yN层于生长后还经过重结晶处理，重结晶处理在温度≥800℃，N2和NH3的氛围下进行。实施本发明的LED外延片，可以释放应力，提高多量子阱层的生长质量，保证了发光效率。同时，可以降低LED芯片在超大电流下的工作电压，改善发光亮度和可靠性。