一种半导体器件结构及其制备方法和相应芯片

本发明公开了一种半导体器件结构及其制备方法和相应芯片，属于半导体器件技术领域。半导体器件结构，包括金银合金凸块和UBM层，UBM层由种子层和粘附层组成，金银合金凸块底部与种子层连接，粘附层与芯片电极连接，金银合金凸块与粘附层的热膨胀系数差值在9ppm/K以下。本发明提供的技术方案，解决了金银合金凸块与现有的UBM层不能通过高低温循环可靠性测试这一技术问题，获得的半导体器件结构及相应芯片，能够通过各种可靠性测试，使金银合金替代纯金凸块具备了实施可行性，从而大幅降低倒装芯片的生产成本。