一种新型芯片键合点加固工艺方案的硅凝胶封装功率模块

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种新型芯片键合点加固工艺方案的硅凝胶封装功率模块。包括，芯片；绝缘陶瓷基板，所述芯片的背面设置在所述绝缘陶瓷基板的导电铜层功率电路蚀刻区，所述芯片的正面通过键合线连接在所述绝缘陶瓷基板的导电铜层功率电路蚀刻区，形成功率回路；加固层，设于所述芯片的正面的键合点上。本发明通过在键合点涂敷加固层，对键合点进行了固化加固，在更高芯片结温，更大温度变化的功率循环可靠性耐受实验中，键合点在加固层约束下变形更小，受到相对较小的应力，与芯片的键合绑定更不容易失效。从而可提升模块耐更高结温的应用，且键合绑定工艺耐诸如功率循环或温度循环能力更强，提高模块可靠性。