垂直RGB三基色Micro LED芯片及其制备方法

本发明公开了一种垂直RGB三基色Micro LED芯片及其制备方法，该方法通过提供一目标晶圆，包括衬底及间隔设于衬底之上的第一外延层、第二外延层与第三外延层，然后分别基于第一外延层、第二外延层与第三外延层进行芯片制作，制作出与P型半导体层连接的正电极，与N型半导体层单独连接的第一负电极，以及制作出与多个第一负电极共阴式连接的第二负电极，最后采用激光巨转设备进行转移，使其与预设的电路基板进行对位，实现键合固定，得到垂直RGB三基色Micro LED芯片，则本发明通过采用以上工艺进行芯片制作，能够使该芯片的巨量转移过程简单化，避免依赖于高精尖设备，降低了芯片的整体制作成本。