一种基于氧化镓晶片的位错识别系统及其识别方法

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一种基于氧化镓晶片的位错识别系统及其识别方法
申请号:CN202411931357
申请日期:2024-12-26
公开号:CN119888726A
公开日期:2025-04-25
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种基于氧化镓晶片的位错识别系统及其识别方法,涉及图像处理技术领域,包括基于分析管理终端,控制电子显微镜对氧化镓晶片进行图像采集,获取待识别氧化镓晶片图像;对待识别氧化镓晶片图像进行分析处理,获取氧化镓晶片的位错相关数据。本发明先是通过对待识别氧化镓晶片图像的频谱特征进行分析,确定氧化镓晶片中是否含有位错,然后,对含有位错信息的氧化镓晶片进行位错密度计算,确定氧化镓晶片的位错密度,最后,对氧化镓晶片的位错密度进行评估,确定氧化镓晶片的质量,选择是否需要对氧化镓晶片的生产工艺进行优化,所以,上述方法能够确定精准的确定氧化镓晶片的质量,确定氧化镓晶片是否能够投入使用,降低了生产成本。
技术关键词
氧化镓晶片 管理终端 频谱特征 识别方法 控制电子显微镜 图像拍摄参数 密度 数据库系统 傅里叶变换算法 图像处理模块 识别系统 特征提取模块 数据处理模块 分析模块 图像处理技术
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