端面耦合器、端面耦合器的制备方法和光子芯片
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推荐专利
端面耦合器、端面耦合器的制备方法和光子芯片
申请号:
CN202411938235
申请日期:
2024-12-26
公开号:
CN119717125A
公开日期:
2025-03-28
类型:
发明专利
摘要
本申请涉及集成光学领域,公开了一种端面耦合器、端面耦合器的制备方法和光子芯片。端面耦合器包括:耦合区、模场过渡区和波导传输区。耦合区、模场过渡区和波导传输区的宽度,依次减小。模场过渡区的第一端连接耦合区。模场过渡区的第二端连接波导传输区;模场过渡区的第二端的表面呈弧面。
技术关键词
端面耦合器
波导
光子芯片
基片
光刻
弧面
集成光学
锥形
环形
薄膜
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