端面耦合器、端面耦合器的制备方法和光子芯片

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端面耦合器、端面耦合器的制备方法和光子芯片
申请号:CN202411938235
申请日期:2024-12-26
公开号:CN119717125A
公开日期:2025-03-28
类型:发明专利
摘要
本申请涉及集成光学领域,公开了一种端面耦合器、端面耦合器的制备方法和光子芯片。端面耦合器包括:耦合区、模场过渡区和波导传输区。耦合区、模场过渡区和波导传输区的宽度,依次减小。模场过渡区的第一端连接耦合区。模场过渡区的第二端连接波导传输区;模场过渡区的第二端的表面呈弧面。
技术关键词
端面耦合器 波导 光子芯片 基片 光刻 弧面 集成光学 锥形 环形 薄膜
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