金属硅化物层形成方法、半导体器件及芯片

本发明提供一种金属硅化物层形成方法、半导体器件及芯片，涉及半导体技术领域。金属硅化物层形成方法包括：提供一衬底，并在衬底上形成隔离结构、栅极结构、源漏注入区和自对准阻挡层；利用保护层刻蚀处理依次去除隔离凹槽的空白槽壁之外的第二保护层和第一保护层；其中，在保护层刻蚀处理过程中，第一保护层的刻蚀速率与第二保护层的刻蚀速率比介于1：5至1：10；空白槽壁为隔离凹槽未被隔离结构覆盖的槽壁；在栅极结构的上表面以及隔离凹槽之外的衬底的上表面形成金属硅化物层。通过本发明，能够减少金属硅化物的侧向生长异常，减少器件漏电异常，提高器件性能。