LDMOSFET结构的ESD器件及制造方法、芯片

本发明涉及半导体技术领域，提供一种LDMOSFET结构的ESD器件及制造方法、芯片。该器件包括：衬底、体区、漂移区、源区、漏区及栅极结构，栅极结构包括多晶硅栅极、多晶硅电阻、金属硅化物层、场氧化层以及栅氧化层，多晶硅栅极与多晶硅电阻相接，金属硅化物层形成于多晶硅栅极的表面，并与多晶硅电阻相接；场氧化层形成于多晶硅栅极的侧端及底部，并与漏区相接，多晶硅栅极、场氧化层及漏区构成电容结构，多晶硅栅极与场氧化层构成场板结构。本发明实施例通过金属硅化物层降低多晶硅电阻与多晶硅栅极之间的导通电阻，同时利用多晶硅栅极与场氧化层构成的场板结构提高击穿电压，从而提高ESD器件的高压保护能力。