一种高激光剥离良率的Mini/Micro LED同步刻蚀方法

本发明提供一种高激光剥离良率的Mini/Micro LED同步刻蚀方法，首先，使用ISO光罩将沟道图形精确转移到芯片表面；其次，在ICP刻蚀条件下对隔离外延层进行部分预刻蚀，去除部分外延层厚度，确保刻蚀不会触及芯片衬底；然后，沉积SIO DBR层，并在ICP条件下对SIO DBR层和隔离外延层进行同步再刻蚀，去除蓝宝石衬底底部的SIO DBR层，同时保留沟道侧壁的SIO DBR层。本发明通过精确控制ICP功率、气体流量、刻蚀时间，实现了刻蚀均匀性控制在±5nm以内，大幅减少了碎屑产生，提高了激光剥离良率。此外，通过实时动态反馈控制和高性能ICP设备的使用，确保工艺稳定性和可重复性。