半导体晶圆或半导体芯片的保护薄膜形成用复合片

本发明涉及一种用于保护半导体晶圆或半导体芯片的保护薄膜形成用复合片，本发明的复合片包括：基材薄膜；粘合剂层，层叠在所述基材薄膜的一面；以及保护薄膜，层叠在所述粘合剂层上，所述粘合剂层在532nm波长下的透光率超过85％，所述粘合剂层在600～680nm波长下的透光率为80％以下，因此即使在激光标记工艺之后，粘合剂层与保护薄膜之间也不会发生气体积聚，并且标记可视性优异。