一种3D DRAM三维堆叠芯片封装结构及其制备方法

本发明涉及半导体制备技术领域，尤其是涉及一种3D DRAM三维堆叠芯片封装结构及其制备方法，包括封装基板、中介层基板、三维堆叠芯片组件、散热桥和散热盖板，其中，中介层基板设置在所述封装基板上；三维堆叠芯片组件包括自下而上依次设置的多个芯片组件，且最下层的芯片组件的尺寸大于上层的芯片组件的尺寸，最下层的芯片组件设置在中介层基板上；所述散热桥设置在最下层的所述芯片组件的边缘，并与上层的所述芯片组件之间存在间隔；所述散热盖板设置在所述封装基板上，并覆盖所述中介层基板、所述三维堆叠芯片组件和所述散热桥。本发明的三维堆叠芯片封装结构，通过一系列精心设计的组件布局与配置，显著改善了3D DRAM三维堆叠芯片的散热问题。