约瑟夫森结、超导量子芯片制备方法及相关产品

本发明公开了一种约瑟夫森结、超导量子芯片制备方法及相关产品。所述约瑟夫森结的制备方法包括：在衬底上旋涂第一层光刻胶并烘烤；再次旋涂第二层光刻胶并烘烤；对第一层光刻胶和第二层光刻胶进行曝光并在曝光后显影，在第一层光刻胶和第二层光刻胶中形成交叉形间隙的图案；对显影后的衬底使用等离子体对交叉形间隙中残留的光刻胶进行清洗；然后再把衬底放入TMAH溶液中浸泡以去除交叉形间隙处残留的光刻胶；在交叉形间隙中蒸镀相互交叉的金属沉积层；剥离剩余的第一层光刻胶和第二光刻胶，得到约瑟夫森结。本发明在基本不影响阻挡层光刻胶侧壁尺寸的情况下，可很好地去除交叉形间隙残留的光刻胶，提高了约瑟夫森结的制备质量和超导量子芯片的性能。