摘要
本申请涉及一种芯片封装结构及其制备方法、电子设备,芯片封装结构包括基底层和依次设置在基底层上的重布线层和芯片堆叠层,芯片堆叠层包括至少一组芯片堆叠单元;芯片堆叠单元包括第一芯片、位于第一芯片和重布线层之间的至少一个第二芯片,第一芯片和第二芯片在基底层的厚度方向上至少部分重叠设置;芯片封装结构还包括贯穿每个第二芯片的至少一个第一通孔,第一通孔内填充有导电柱,任意一个芯片与相邻的第二芯片中的导电柱连接,且第一芯片通过导电柱与第二芯片和/或重布线层电性连接。本申请通过通孔工艺实现多个堆叠设置的芯片之间和/或多个芯片与重布线层之间相互连通,从而实现了芯片的高密度集成,满足了高性能芯片的需求。
技术关键词
芯片封装结构
基底层
芯片堆叠
重布线层
电感元件
电阻元件
柱塞
导电柱
散热层
电容元件
介质
导热柱
通孔
散热组件
线圈
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