射频芯片封装结构

本发明涉及射频芯片封装结构，包括基板，基板包括多个导电层，相邻导电层之间为介质层，导电层包括介质材料以及导电结构，介质层中具有过孔，过孔的两端连接导电结构；基板的表面具有射频焊盘和电源焊盘，射频焊盘上具有射频连接柱，电源焊盘上具有电源连接柱，射频连接柱用于与射频芯片电连接，电源连接柱用于与电源电连接；第一屏蔽结构，包括位于射频芯片与基板之间的至少一个接地连接柱，并且射频连接柱与电源连接柱之间具有至少一个接地连接柱；和/或第二屏蔽结构，包括顶层的导电层中接地的第一导电区域，第一导电区域位于射频连接柱、电源连接柱之间的区域，且与射频连接柱、电源连接柱之间通过介质材料绝缘。