一种沟槽型半导体桥芯片

一种沟槽型半导体桥芯片，属于火工品技术领域。所述半导体桥芯片包括N型硅衬底、二氧化硅层、正面图形多晶硅层、正面图形金属电极层。二氧化硅层位于N型硅衬底的上表面，正面图形多晶硅层位于二氧化硅层的上表面，正面图形金属电极层位于正面图形多晶硅层的上表面，多晶硅桥区两侧边制作有V形缺口，在桥区两侧边除V形缺口外区域制作有蜂窝沟槽结构。通电后V形缺口处及蜂窝沟槽结构的电流密度大大提高，快速形成焦耳热，快速形成等离子体放电。解决了半导体桥火工品发火时间及发火能量很难进一步降低，难以提升半导体桥火工品系统精确性、迅速性的问题。广泛于SCB火工品半导体桥芯片技术领域。