MEMS芯片的制备方法

本发明公开了一种MEMS芯片的制备方法，属于微机电系统制造技术领域。该制备方法包括：在晶圆表面沉积一层贵金属层；在贵金属层表面沉积一层牺牲层；对牺牲层图形化，以在牺牲层上形成目标图形；以图形化的牺牲层作为硬掩模，对贵金属层进行物理刻蚀，以在贵金属层上形成目标图形；以图形化的牺牲层和贵金属层作为硬掩模，对晶圆进行刻蚀，以在晶圆上形成目标图形；去除牺牲层。该制备方法通过在图形化贵金属层后，图形化晶圆前，在贵金属层表面沉积一层牺牲层，以对贵金属层进行保护，实现了在小尺寸结构上贵金属层的选择性沉积。