晶圆级封装功率器件芯片及电池管理系统

AITNT
正文
推荐专利
晶圆级封装功率器件芯片及电池管理系统
申请号:CN202421708016
申请日期:2024-07-18
公开号:CN222838849U
公开日期:2025-05-06
类型:实用新型专利
摘要
本公开提供一种晶圆级封装功率器件芯片及电池管理系统。晶圆级封装功率器件芯片包括:在同一晶圆制备的多个充放电MOSFET和多个焊盘开窗,多个焊盘开窗设置在芯片的一个表面,其中漏极焊盘、第一栅极焊盘和第二栅极焊盘分别占有至少一个焊盘开窗,第一源极焊盘和第二源极焊盘分别占有至少一个焊盘开窗,从而第一源极焊盘和第二源极焊盘通过焊盘开窗与电路板直接接触,将充放电MOSFET的源区电流均衡地导向电路板电极。
技术关键词
功率器件芯片 源极焊盘 晶圆级封装 栅极焊盘 温度检测元件 电路板 金属镀层 电池管理系统 球下金属层 聚酰亚胺层 驱动单元 正面 电池组 电极 隔离环 驱动信号
系统为您推荐了相关专利信息
1
一种气体传感器封装方法及传感器
气体敏感芯片 封装方法 通气孔 重布线 光热转换层
2
一种晶圆级封装装置
晶圆级封装装置 固定式机器人 压紧机构 载板 模制
3
晶圆级封装热电堆红外阵列芯片及其制备方法
热电堆 聚光结构 晶圆级封装 芯片 CMOS驱动电路
4
一种高性能W波段应用的改进扇出型晶圆级封装工艺
扇出型晶圆级封装 空气桥结构 压膜技术 倒装贴片 双面胶膜
5
磁传感器控制系统及方法
闭环控制算法 传感器控制系统 气室 电流控制电路 温度控制电路
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号