一种GaN芯片的封装结构和电子设备

本实用新型公开了一种GaN芯片的封装结构和电子设备，GaN芯片的封装结构包括：GaN芯片、引线框架、第一导电结构、第二导电结构和第三导电结构；第一导电结构、第二导电结构和第三导电结构与引线框架连接；GaN芯片包括半导体本体、栅极、源极和漏极，半导体本体设置有第一导电柱；栅极、源极和漏极中的一个连接至第一导电结构，栅极、源极和漏极中的另两个分别连接至第二导电结构和第三导电结构；或者，栅极、源极和漏极中的两个分别连接至第一导电结构和第二导电结构，栅极、源极和漏极中的另一个连接至第三导电结构。本实用新型的GaN芯片的封装结构的散热路径短，从而大大减小了GaN芯片的封装结构的寄生热阻。