等离子体处理装置和基片处理系统

本发明公开的等离子体处理装置包括腔室、基片支承部、边缘环、升降机构、等离子体生成部和偏置电源。基片支承部配置于腔室内。升降机构构成为能够使边缘环相对于基片支承部上下移动。基片支承部包括与偏置电源和/或等离子体生成部的高频电源电耦合的基座、和基座上的静电吸盘。升降机构包括导电环和连接部件。导电环能够在支承着载置于其上的边缘环的状态下与边缘环电耦合。连接部件构成为能够随着利用升降机构进行的边缘环和导电环的移动，而维持导电环与基座之间的电连接。